碳化硅的发展历程
点击次数:   更新时间:21/10/25 14:35:10     来源:www.wfchimei.com关闭分    享:
  碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好,除做成碳化硅研磨筒外,还有很多其他用途,碳化硅的硬度很大,仅次于世界上非常硬的金刚石,具有优良的导热性能,是一种半导体,高温时能抗氧化,下面为大家介绍碳化硅的发展历程。
  1905年在陨石中发现碳化硅。
  1907年碳化硅晶体发光二极管诞生。
  1955年理论和技术上重大突破,LELY提出生长高品质碳化概念,从此将SiC作为重要的电子材料。
  1958年在波士顿召开,世界碳化硅会议进行学术交流。
  1978年六、七十年代碳化硅主要由前苏联进行研究,到1978年采用LELY改进技术的晶粒提纯生长方法。
  1987年至今以CREE的研究成果建立碳化硅生产线,供应商开始提供商品化的碳化硅基。
  2001年推出SiC二极管产品,并开始投产SiC二极管。
  2013年9月29日,碳化硅半导体国际学会ICSCRM 2013召开,24个国家的半导体企业、科研院校等136家单位与会,人数达到794人次,国际知名的半导体器件厂商,在会议上均展示出了新量产化的碳化硅器件。
  上述就是碳化硅的发展历程,现在大家也能更好的了解碳化硅研磨筒了吧,今天的内容就介绍到这里了,我们下期再见。
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